SEMICONDUCTOR RIPPLE SIDE 33254-1
SEMICONDUTOR ONDINHA LADO33254-1
COMPONENT:SEMICONDUCTOR RIPPLE SIDE is made of special glass fiber cloth impregnated with imine resin, then dried and pressed in the mold. It can be used in large generator from 200MW to 1000MW. The surface is black and smooth, free from foreign impurity, crack, bubble and delaminations.But slight uneven color and imperfect resin are allowed to insure compliance with all properties, the edge would be cut in good order.
COMPONENTE:SEMICONDUTOR ONDINHA LADO é feita de pano de fibra de vidro impregnada com resina especial imina, em seguida seca e prensada em molde. Ele pode ser utilizado em larga gerador de 200 MW de 1000 MW. A superfície é preta e lisa, livre de impureza externa, crack, bolha e delaminações. Mas leve cor desigual e resina imperfeito estão autorizadas a garantir a conformidade com todas as propriedades, a borda seria cortado em boa ordem.
PROPERTIES PROPRIEDADES
No. | Index Designation IndiceDesignação | Index DADOS | ||
1 | Thickness Espessura | 0.5±0.1mm | 0.7±0.1mm | 0.9±0.1mm |
2 | Maximum Deformation Deformaçãomáxima | 5.08mm | ||
3 | Ripple Distance RippleDistância | 60.35mm | ||
4 | Specific Gravity Peso específico | ≥1.8kg/cm3 | ||
5 | Temperature Index Índicede Temperatura | 180 ℃ Degree(Cl. H) | ||
6 | Glass Transition Tem. Temperatura de Transição Vítrea (Tg) | 190 ℃ | ||
7 | StressValue Valorestresse | ≥558.6N | ≥650N | ≥1647.5N |
8 | Stress after heat aging Estresseapósenvelhecimento de calor 130 ℃/96h | ≥200N | ≥450N | ≥1424N |
9 | Stress after heat aging Estresseapósenvelhecimento de calor 155 ℃/96h | ≥190N | ≥410N | ≥1335N |
10 | Edge Compression compressãode Borda | ≥1.960Mpa | ||
11 | Cracking Test CrackingTeste 135+5 ℃/10min. | Without Cracking semCracking | ||
12 | Surface Resistance Resistênciada superfície | 1.5x104 -7.5x105Ω | ||
13 | Resin Content resinaconteúdo | 35±3% | ||
